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SiHP30N60E
1
www.vishay.com
Duty Cycle = 0.5
0.2
Vishay Siliconix
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Sq uare Wave Pul s e Duration ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
V DS
R D
t p
V DS
R G
V GS
10 V
D.U.T.
+
- V DD
V DS
V DD
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 12 - Switching Time Test Circuit
V DS
I AS
Fig. 15 - Unclamped Inductive Waveforms
90 %
10 %
V GS
10 V
V G
Q GS
Q G
Q GD
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 13 - Switching Time Waveforms
L
Charge
Fig. 16 - Basic Gate Charge Waveform
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
Current regulator
Same type as D.U.T.
R G
10 V
t p
D.U.T
I AS
0.01 Ω
+
-
V DD
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
D.U.T.
+
-
V DS
Fig. 14 - Unclamped Inductive Test Circuit
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 17 - Gate Charge Test Circuit
S12-3103- Rev. E, 24-Dec-12
5
Document Number: 91456
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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